• Остапович Д.О.
  Огляд літератури: Хіггсовскій бозон: відкриття та плани на майбутнє
• Ст.н.с. Ворошило О.І.
  Випромінювання фотона електроном у полі двох імпульсних електромагнітних хвиль. (Частина 2. Інтерференційна область. Результати чисельного аналізу).

  Вивчено інтерференційну область в процесі випромінювання фотона електроном у полі двох електромагнітних хвиль. Представлено результати чисельного аналізу.

Запрошуються студенти, співробітники, викладачі

5 жовтня (п'ятниця) о 10:00

відбудеться семінар зі статистичної фізики і мікроструктурних перетворень під кер. проф. Харченка Д.О.

• Тема: Руйнування  у в'язкопружних матеріалах, як процес формування структури (огляд літератури).

  Доповідач: м.н.с. Щокотова О.

03 жовтня 2012 р.

відбудеться семінар з квантової електродинаміки в сильних полях під керівництвом професора Рощупкіна С.П.

1. Професор Рощупкін С.П.
   Завдання осінньої наукової сесії відділу квантової електродинаміки в сильних полях
2. Н.с. Стародуб С.С.
   Огляд літератури: Американська компанія готова в найблищі роки побудувати космічний ліфт
3. Ст.н.с. Кравченко С.М.
   Вплив тензорних нуклон-нуклонних сил на нуклон-ядерний оптичний потенціал.

   На основі ефективної взаємодії Скірма з урахуванням тензорних нуклон-нуклонних сил у наближенні неполяризованої ядерної матерії проведені розрахунки оптичного потенціалу нуклон-ядерного розсіяння. Доведено, що тензорні сили Скірма дають значний внесок в уявну частину оптичного потенціалу.

докладніше на http://roshchupkin.sumy.ua/

Запрошуються студенти, співробітники, викладачі

У 2012 р.

НАН України і Сибірське Відділення РАН проводить конкурс науково -дослідних проектів, що будуть виконуватися коллективами українських і російських вчених.

з вiдривом та без вiдриву вiд виробництва з таких спецiальностей:

• 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем;
• 01.04.02 – теоретична фізика;
• 01.04.16 – фiзика ядра, елементарних частинок і високих енергій;
• 01.04.20 – фізика пучків заряджених частинок;

До аспiрантури з вiдривом вiд виробництва приймаються громадяни вiком до 35 рокiв, без вiдриву - до 45 рокiв, якi мають вищу освiту, виявили нахил до наукової роботи.

До заяви на ім'я директора Інституту прикладної фізики НАН України додаються:

1. особовий листок з обліку кадрів;
2. витяг з трудової книжки;
3. автобіографія;
4. характеристика-рекомендацiя з місця роботи (для осіб, що вступають до аспірантури безпосередньо після закінчення вузу необхідно мати рекомендацію вченої ради вузу або факультету);
5. копія диплома про закінчення вищого навчального закладу із зазначенням одержаної кваліфікації спеціаліста або магістра;
6. список опублікованих наукових праць і винаходів. Вступники до аспірантури, які не мають опублікованих наукових праць і винаходів, подають наукові реферати з обраної ними наукової спеціальності;
7. медична довідка про стан здоров’я за формою № 086-у;
8. посвідчення про складання кандидатських іспитів (за наявності складених кандидатських іспитів);
9. копія паспорта;
10. фотокартка 3х4 см.

Документи подаються особисто з 20 липня по 10 вересня 2012 року (м. Суми, вул. Петропавлівська 58,
ІПФ НАН України, кімн.9 — науково-організаційний відділ, тел. 22-46-08)

Абітурієнти складають вступні іспити з обраної наукової спеціальності (в обсязі програми для вузу), з філософії, з іноземної мови. Початок екзаменів — з 1 жовтня 2012 року.

Навчальний рік починається з 1 листопада 2012 року.

з вiдривом та без вiдриву вiд виробництва з таких спецiальностей:

• 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем;
• 01.04.02 – теоретична фізика;
• 01.04.16 – фiзика ядра, елементарних частинок і високих енергій;
• 01.04.20 – фізика пучків заряджених частинок;

До аспiрантури з вiдривом вiд виробництва приймаються громадяни вiком до 35 рокiв, без вiдриву - до 45 рокiв, якi мають вищу освiту, виявили нахил до наукової роботи.

До заяви на ім'я директора Інституту прикладної фізики НАН України додаються:

1. особовий листок з обліку кадрів;
2. витяг з трудової книжки;
3. автобіографія;
4. характеристика-рекомендацiя з місця роботи (для осіб, що вступають до аспірантури безпосередньо після закінчення вузу необхідно мати рекомендацію вченої ради вузу або факультету);
5. копія диплома про закінчення вищого навчального закладу із зазначенням одержаної кваліфікації спеціаліста або магістра;
6. список опублікованих наукових праць і винаходів. Вступники до аспірантури, які не мають опублікованих наукових праць і винаходів, подають наукові реферати з обраної ними наукової спеціальності;
7. медична довідка про стан здоров’я за формою № 086-у;
8. посвідчення про складання кандидатських іспитів (за наявності складених кандидатських іспитів);
9. копія паспорта;
10. фотокартка 3х4 см.

Документи подаються особисто з 20 липня по 10 вересня 2012 року (м. Суми, вул. Петропавлівська 58,
ІПФ НАН України, кімн.9 — науково-організаційний відділ, тел. 22-46-08)

Абітурієнти складають вступні іспити з обраної наукової спеціальності (в обсязі програми для вузу), з філософії, з іноземної мови. Початок екзаменів — з 1 жовтня 2012 року.

Навчальний рік починається з 1 листопада 2012 року.

Інститут прикладної фізики
Національної академії наук України

оголошує конкурсна заміщення вакантних посад:

• Завідувача лабораторії № 31 “ Електростатичних прискорювачів ” відділу № 30 "Ядерно-фізичних досліджень";
• Наукового співробітника лабораторії № 11 "Прискорювачів прямої дії а іонної імплантації і модифікації реакторних матеріалів " відділу № 10 "Фізики пучків заряджених частинок" .
• Наукового співробітника відділу № 60 "Відділ моделювання радіаційних ефектів та мікроструктурних перетворень у конструкційних матеріалах"

У конкурсі на заміщення вакантної посади завідувача лабораторії можуть брати участь особи, що мають науковий ступінь кандидата або доктора наук, наукові праці за профілем роботи лабораторії і мають досвід наукової та науково-організаційної роботи не менше 5 років.

У конкурсі на заміщення вакантних посад наукових співробітників можуть брати участь особи, що мають вищу освіту і досвід роботи за відповідною спеціальністю не менше 5 років (за наявності наукового ступеня без пред'явлення вимог до стажу роботи), наукові праці за спеціальністю.

До заяви на ім'я директора Інституту прикладної фізики НАН України додаються:

• особовий листок з обліку кадрів;
• автобіографія;
• список наукових праць і винаходів, завірений в установленому порядку;
• довідка про наукову діяльність;
• копії дипломів про вищу освіту, кандидата наук, доктора наук;
• атестати доцента, старшого наукового співробітника, професора.

Термін подання документів для участі у конкурсі до 20.08.2012 р.

Документи подаються особисто з 20 липня по 20 серпня 2012 року (м. Суми, вул. Петропавлівська 58, ІПФ НАН України, кімн.9 — науково-організаційний відділ, тел. 22-46-08)

17 липня 2012 р. о 14⁰⁰

відбудеться загальноінститутський семінар під керівництво академіка НАН України Сторіжко В.Ю.

Порядок денний

• Наукова доповідь: "АКТУАЛЬНІ ПИТАННЯ ФІЗИКИ ПЛАЗМИ ТА КЕРОВАНОГО ТЕРМОЯДЕРНОГО СИНТЕЗУ"
  Доповідач: директор Інституту фізики плазми ННЦ «ХФТІ» НАН України д.ф.-м.н. Гаркуша І.Є.

м. Суми, вул. Петропавлівська 58, актова зала Інституту прикладної фізики

10 липня о 10-00

відбудеться засідання наукового семінару зі статистичної фізики і мікроструктурних перетворень під кер. проф. Харченка Д.О.

• Оствальдівське визрівання виділень малих розмірів, що росташовані на міжзеренній границі, ріст яких імітується дифузією
  Доповідач: к.ф.-м.н. О.В. Коропов.
• Область магнітострикційних станів фторидів кобальту.
  Доповідач: д.ф.-м.н., проф. Чепурних Г.К.

м. Суми, вул. Петропавлівська 58, актова зала Інституту прикладної фізики

3 липня 2012 р. о 15-00

відбудеться засідання спеціалізованої вченої ради.

Порядок денний.

• Прийняття до розгляду дисертацій м.н.с. відділу ядерно-фізичних методів досліджень ІПФ НАН України:

  Вершинського С.О. (наук. кер. акад. НАН України Сторіжко В.Ю.).
  Нагорного Д.А. (наук. кер. с.н.с. Мордик С.М.).

м. Суми, вул. Петропавлівська 58, зала засідань

Науковий семінар відділу квантової електродинаміки у сильних полях та лабораторії інтегрованого моделювання механічних властивостей конструктивних матеріалів під дією опромінення Час проведення: 30.04.2024 Детальніше ...