Картинка
Новини Про Інститут Наукова діяльність Структура Аспірантура Закупівлі Контакти Конференції ІПФ Профспілка СПЕТФ-МНФ-2024

Загальна інформація Склад
 

№35 - Лабораторія прискорювачів прямої дії та іонної імплантації і модифікації реакторних матеріалів

Завідувач лабораторії: к.ф.-м.н., с.н.с. Батурін В.А.

До 31 березня 2015 р. лабораторія входила в склад відділу фізики пучків заряджених частинок №10. З 01 квітня 2015 р. виокремлена лабораторія.

 

lab 11

Співробітники лабораторії: с.н.с. Дуванов С.М., м.н.с. Пустовойтов С.О., с.н.с. Нагорний А.Г., м.н.с. Карпенко А.Ю, с.н.с. Луніка М.М., зав. лаб. Батурін В.А.,пров. інж. Шумило В.П., н.с. Ерьомін С.О., с.н.с. Литвинов П.О.,м.н.с. Нагорний В.А.,гол. інж. Голубовський Б.Г., с.н.с. Шимко А.І.

Напрямки досліджень

  • Дослідження процесів генерації, формування та транспортування потужних пучків позитивних та негативних іонів.
  • Розробка потужних джерел газових і металевих іонів для застосування у високоенергетичних, медичних та технологічних іонних прискорювачах, а також в радіаційних технологіях.
  • Проведення імітаційних експериментів на пучках іонів металів та газів в енергетичному діапазоні 20 ÷ 500 кеВ.
  • Дослідження взаємодії потужних пучків іонів і електронів з речовиною з ціллю модифікації приповерхневих шарів шляхом створення захисних та зміцнюючих покриттів в конструкційних матеріалах.
  • Синтез тонких плівок та покриттів з використанням пучково-плазмових технологій.

Основні досягнення

2022

В рамках виконання цільової науково-технічної програми оборонних досліджень НАН України на 2020-2024 рр. розроблене високоефективне джерело іонів берилію та на його основі іонний інжектор для іонного імплантера МВР-202 фірми “BALZERS”, що знаходиться в Інституті фізики напівпровідників НАН України ім. В.Є. Лашкарьова з метою організації технологічного процесу виготовлення приймачів інфрачервоного випромінювання, основаного на іонній імплантації антимоніду індію. Джерело іонів берилію просте в обслуговуванні і універсальне в тому, що може генерувати іони з будь-якого газу та будь-якого металу без використання високотемпературної печі для його випаровування. Проведено налагодження іонного імплантера МВР-202 фірми “BALZERS” та підготовлено умови для забезпечення технологічного процесу виготовлення фотоприймачів в діапазоні інфрачервоного спектру для систем наведення.

(Батурін В.А., Литвинов П.О., Роєнко О.Ю.)

2021

Проведені дослідження впливу іонно-плазмових покриттів на стійкість до високовольтних вакуумних пробоїв конструкційних матеріалів що використовуються в структурах високоенергетичних електронних прискорювачів (зокрема CLIC). Показано, що покриття міді тонкими плівками із нітридів тугоплавких металів (MoN,W2N) та TiN, а також деякі оксидні покриття з високим значенням роботи виходу електрона (наприклад MoO) підвищують стійкість до високо вакуумних пробоїв на 20 – 25 %, в порівнянні із без кисневою міддю. Покриття міді напівпровідниковими плівками ZnO також підвищує на 20% стійкість до пробоїв. Експериментально показано, що текстура плівкового покриття суттєво впливає на його стійкість до пробоїв. Так дослідження мідних зразків з покриттям плівками TiN показали, що формування в цих плівках текстури з переважною орієнтацією (111) призводить до зменшення темнового електронного струму та величини напруги пробою. Плівкам TiN з текстурою(111) відповідають найнижчі значення енергії деформації, що пов'язано з анізотропією модуля Юнга. Такі площини формуються перпендикулярно напрямку росту всієї системи в цілому, що призводить до мінімізації повної енергії при зростанні плівки. Поява в плівках іншого текстури (200), паралельної поверхні росту, при одночасному зменшенні інтенсивності піку (111) погіршує стійкість плівок нітриду титану до пробоїв, в порівнянні з (111) текстурованими плівками. Покриття міді плівкою TiN (текстура 111) та додаткове опроміненням іонами аргону з енергією ~ 300 кеВ та дозою 4х1017 см-2 підвищую напругу високовольтного пробою майже на 35% в порівнянні з чистою міддю.

Останні новини

Різне

Інститут прикладної фізики Національної академії наук України,з глибоким сумом сповіщають, що 15 травня 2024 року на 54-му році життя зупинилось серце видатного українського фізика, лідера наукової школи “Квантові підходи в задачах зіткнення важких іонів і електронів в електромагнітних полях” Романа Івановича Холодова. Детальніше ...