с.н.с Батурін В.А.продовження списку наукових праць136 . Батурін В.А., Литвинов П.О., Пустовойтенко С.А., Карпенко А.Ю. Development of Volume H- Ion Source with Inverse Gas Magnetron Geometry // Міжнародна конференція „NIMS 2010 Neutral Ions, Beams and Sources ”, kbcnjgfl 2010, Takayama, Japan HIBS2010 : тези доп. на заруб. конф. 137 . Лашкарьов Г.В., Лазаренко В.Й., Карпина В.А., Храновский В.Д., Батурин В.А., Карпенко А.Ю. Photoluminesctnce of ZnO Films Excited by Nd // 39 Міжнародна School on the Physics of Semiconducting Compounds, June 19-24, 2010, Krynica-Zdroj, Poland, 2010 c.143 : тези доп. на заруб. конф. 138 . Литвинов П.А., Батурин В.А. Разрядная система с осцилляцией элек-тронов в эмиссонной области для источ-ника положительных ионов // X INTERNATIONAL WORKSHOP «PLASMA ELECTRONICS AND NEW ACCELERATION METHODS», м. Харьків, 25-29 серпня 2008 року 2009, т.1,№2, с.55-59 : стаття у вітч. виданні 139 . Батурин В.А., Еремин С.А. Масс-спектрометрическое исследование процессов ионного распыления при высоких энергиях первичных электронов // Журнал нано и электронной физики (2009),т.1 №2 с.80-103 : стаття у вітч. виданні 140 . Батурин В.А., Карпенко А.Ю. Осаждение тонкопленочных покрытий с использованием источника кластерного пучка // Журнал «Вопросы атомной науки и техники», г. Харьков ВАНТ, (2009), №6, с.175-180 : стаття у вітч. виданні 141 . А.И.Евтушенко, В.А.Карпина, Г.В.Лашкарев та ін. Структура многослойных пленок ZnO, осаджених магнетронным распылением // Журнал «Металлофизика и новейшие технологии», Київ, НАН України Металлофизика и новейшие технологии. т.30, № 11, (2008), с.1511 – 1519. : стаття у вітч. виданні 142 . А. І. Євтушенко, В.Д. Храновський, Г.В. Лашкарьов, О.І. Биков, В.Й. Лазоренко, В.А. Карпина, Л.О. Клочков Структура та морфологія плівок ZnO, осаджених на підкладинки Si3N4/Si ме-тодом ВЧ магнетронного розпилення // Журнал «Металлофизика и новейшие технологии», Київ, НАН України Металлофизика и новейшие технологии.- Спецвипуск, (2008), т. 30, с. 631-641. : стаття у вітч. виданні 143 . Батурін В.А. Літвінов Р.А. Пустовойтов С.А. H-Ion Sources with Inverse Gas Magnetron Geometry for SNS Project // International Topical Meeting on Nuclear Research Application and Utilization of Accelerators, 4 to 9 May 2009, Vienna, Austria 2009 SM/AE-PO2 p.97 : тези доп. на заруб. конф. 144 . Левченко А. Лашкарев та ін. Deposition of high quality ZnO films for designing of UV photodetectors on their basis // Abstracts of 38 International School on the Physias of Semiconducting Compounds, June 19-26,2009,Krynica-Zdroj, Poland 2009,р.76 : тези доп. на заруб. конф. 145 . Лашкарев та ін. Layer by layer growth of ZnO films by r.f. magnetron sputtering // Abstracts of E-MRS 2009 Spring Meeting June 8-12, 2009, Congress Center, Strasbourg, France 2009 : тези доп. на заруб. конф. 146 . Левченко А. Лашкарев Г.В. та ін New tendencies of deposition high quality ZnО films for designing of UV photodetectors on their basis // Abstrscts of 14 th International Conference on AII-BVI Compounds, August 23-28, 2009, St.Peterburg, Russia 2009, р.273 : тези доп. на заруб. конф. 147 . Карпина В.А. Храновский В.Д. Євтушенко А.І. Лашкарев Г.В. Лазоренко В.Й. Фотолюмінесценція тонких плівок ZnО, осаджених на а- та с- сапфірметодом // Тези ХХІІ Міжнародної конференції «Фізика та технологія тонких плівок та наносистем», травень, 18-23, 2009, Івано-Франківськ, Україна 2009, том1, с : тези доп. на заруб. конф. 148 . Батурин В.А., Еремин С.А. Масс-спектрометрическое исследование процессов ионного распыления при вы-соких энергиях первичных электронов // Журнал нано и электронной физики 2009,т.1 №2 сто.80-103 : стаття у вітч. виданні 149 . Батурин В.А., Карпенко А.Ю. Осаждение тонкопленочных покрытий с использованием источника кластерно-го пучка // Журнал «Вопросы атомной науки и техники», г. Харьков ВАНТ, №6, с.175-180 : стаття у вітч. виданні 150 . Батурін В.А., Літвінов Р.А., Пустовойтов С.А. H-Ion Sources with Inverse Gas Magne-tron Geometry for SNS Project // International Topical Meeting on Nuclear Research Application and Utilization of Accelerators, 4 to 9 May 2009, Vienna, Austria 2009 SM/AE-PO2 p.97 : стаття у заруб. виданні |
Останні новини РізнеПостанова № 7 від 08.01.2025 "Про директора Інституту прикладної фізики Національної академії наук України" Детальніше ... Відкрита лекція: "Особливості програмування на квантових комп'ютерах та застосування квантових обчислень" Детальніше ... Інститут прикладної фізики НАН України проходить акредитацію освітньо-наукової програми «Фізика» експертами Національного агентства із забезпечення якості вищої освіти (НАЗЯВО). У рамках процедури акредитації відбудеться відкрита зустріч, де всі охочі можуть поставити запитання експертам та висловити свою думку щодо якості освітньої програми. Детальніше ... Науковий семінар відділу квантової електродинаміки у сильних полях та лабораторії інтегрованого моделювання механічних властивостей конструктивних матеріалів під дією опромінення Час проведення: 26.02.2025 Детальніше ... |